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上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)碳納米管MOSFET電流-電壓特性IV曲線測試

日期：2014-06-13瀏覽：2180次

    上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)碳納米管MOSFET電流-電壓特性IV曲線測試

    實(shí)驗(yàn)室中研究的許多納米級材料和器件，zui常見的電氣特性分析方法是電流與電壓 (I-V) 測試。電流-電壓特性是顯示電子器件上的直流電流與其兩端的直流電壓之間關(guān)系的一幅圖。電氣工程師使用這些圖確定器件的基本參數(shù)并對電子電路的行為建模。通常，工程師將特性分析圖稱為 I-V曲線，從而指用于電流和電壓的標(biāo)準(zhǔn)符號。典型的碳納米管MOSFET 的漏電壓與漏電流 I-V 曲線。

    上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)有限公司對于納米電子的具體電流與電壓測量有自己的選型指南方案，可以協(xié)助納米科學(xué)研究人員進(jìn)行
1.精密、有把握地分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件的能力；
2.直流、脈沖、射頻測試：拓展發(fā)現(xiàn)的潛力；
3.吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS 符合并且支持世界*項(xiàng)用于碳納米管的電測量標(biāo)準(zhǔn) —— IEEE P1650-2005 標(biāo)準(zhǔn)：“測量碳納米管電氣特性的 IEEE 標(biāo)準(zhǔn)測試方法”。
4.吉時(shí)利KEITHLEY高速和簡潔的測試方案能讓生物學(xué)家、化學(xué)家、物理學(xué)家或其他研究人員簡便地進(jìn)行復(fù)雜測量。
5.吉時(shí)利產(chǎn)品在久負(fù)盛名的納米科學(xué)研究期刊中廣泛使用和引用，例如：
- 《納米快報(bào)》(Nano Letters)    - 《納米技術(shù)》(Nanotechnology)    - 《IEEE 納米技術(shù)匯刊》(IEEE Transactions on Nanotechnology)
- 《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)    - 《自然》(Nature)    - 《應(yīng)用物理快報(bào)》(Applied Physics Letters)

 
納米聯(lián)盟合作伙伴資源有：納米工程功能材料研究中心 (FENA)，西部納米電子研究所 (WIN)，加州納米系統(tǒng)研究院 (合作伙伴)

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