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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：美國吉時利keithley源表

產(chǎn)品型號：keithley2430

更新時間：2024-08-16

產(chǎn)品簡介：

美國吉時利keithley源表中國電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅融實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供解決方案、測試測量技術(shù)改進、技術(shù)培訓(xùn)、采購管理、售后維修服務(wù)。

產(chǎn)品特性Product characteristics

 中國電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅融實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供解決方案、測試測量技術(shù)改進、技術(shù)培訓(xùn)、采購管理、售后維修服務(wù)。

美國吉時利keithley源表2400系列研究領(lǐng)域：
各種器件的I-V功能測試和特征分析，包括：
 離散和無源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動器、開關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
電路保護器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機電子
基本運放電路
二極管和電路
晶體管電路

測試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計
結(jié)型場效應(yīng)晶體管設(shè)計
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管設(shè)計
太陽能電池和 LED 設(shè)計
高電子遷移率晶體管設(shè)計
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計

分析納米材料和實驗器件
碳納米管的電測量標準
測量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
在低功率和低壓應(yīng)用中實現(xiàn)準確、可靠的電阻測量
納米級器件和材料的電氣測量
提高超高電阻和電阻率測量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進測量方法
納米技術(shù)準確電氣測量的技術(shù)
納米級材料的電氣測量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點的測量挑戰(zhàn)
測量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和試驗低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*進CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測量技術(shù)進行更高準確度的電阻測量
配置分立電阻器驗證測試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測試
多臺數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測試
在運行中第5次測量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測量電壓 - 時間圖，用低電流源)； 氧化層電容測定； 與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙極結(jié)型晶體管
     主題
   正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
   正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。
   正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   非理想特性：爾利電壓。
   反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負值。
   反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對于給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實驗做比較。
   BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜濃縮。
 
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強或耗盡)，溝道長度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效溝道長度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓特性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型：比較實驗結(jié)果。

美國吉時利KEITHLEY2400數(shù)字源表進行VCSEL測試
美國吉時利KEITHLEY2400測量光伏電池的I-V特性
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表的SCPI應(yīng)用轉(zhuǎn)換為2600系列源表的腳本應(yīng)用
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進行IDDQ測試和待機電流測試
使用兩臺美國吉時利KEITHLEY2400型數(shù)字源表輸出2A電流
美國吉時利KEITHLEY2400或其它非脈沖模式源表產(chǎn)生電流 (或電壓) 脈沖
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表提升多引腳器件的生產(chǎn)量
美國吉時利KEITHLEY2400數(shù)字源表創(chuàng)建可擴縮、多引腳、多功能IC測試系統(tǒng)
美國吉時利KEITHLEY2402數(shù)字源表對激光二極管模塊和VCSEL進行高吞吐率直流生產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進行二極管生產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進行高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進行IDDQ測試和待機電流測試
美國吉時利KEITHLEY2400 數(shù)字源表驗證變阻器
美國吉時利KEITHLEY2400系列源表進行電池放電/充電周期
美國吉時利KEITHLEY2400配置電阻網(wǎng)絡(luò)的生產(chǎn)測試系統(tǒng)
美國吉時利KEITHLEY2430 1kW 脈沖源表進行大電流變阻器的生產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2400數(shù)字源表進行熱敏電阻的生產(chǎn)測試

美國吉時利keithley源表2430脈沖數(shù)字源表SourceMeter（數(shù)字源表）系列是專為那些要求緊密結(jié)合激勵源和測量功能，要求精密電壓源并同時進行電流與電壓測量的測試應(yīng)用而設(shè)計的。所有源表均由一個精密的、低噪聲、高穩(wěn)定的帶回讀功能的直流電源和一個低噪聲、高重復(fù)性、高輸入阻抗的5 1/2位多功能表組成，形成了緊湊的單通道直流參數(shù)測試儀。其功能相當于電壓源、電流源、電壓表、電流表和電阻表的綜合體。通信、半導(dǎo)體、計算機、汽車與醫(yī)療行業(yè)的元件與模塊制造商都將發(fā)現(xiàn)，源表儀器對于各種特征分析與生產(chǎn)過程測試都實用價值。
 
    美國吉時利keithley 2430脈沖數(shù)字源表1kW脈沖模式源表具有與2425型100W源表相同的直流電源和測量范圍，另外提供了*的1kW脈沖模式，將電流上限擴展到10A。這一模式使得美國吉時利keithley 2430脈沖數(shù)字源表非常適合于測量多種高功率器件（包括多層變阻器MLV和半導(dǎo)體元件）的擊穿電壓。在這些器件的生產(chǎn)測試過程中，人們通常在高達10A的大電流脈沖下測量擊穿電壓。并有高達10A@100V（脈沖式）的可編程雙極電壓和電流源，同時具有所有2400系列的高速測試功能。
 
    美國吉時利keithley 2430脈沖數(shù)字源表經(jīng)過編程可以產(chǎn)生各種占空比的單個脈沖或脈沖序列，脈寬可達5ms。在1kW的功率范圍上，可以通過編程產(chǎn)生長度為2.5ms占空比為8%的脈沖。當結(jié)合PC控制器以及合適的開關(guān)硬件一起使用時，美國吉時利keithley 2430脈沖數(shù)字源表能夠為高功率器件測試提供廉價的、高產(chǎn)能的解決方案、全面集成半架式的機殼外形。其他提供類似性能的解決方案，例如分立半導(dǎo)體元件測試器要比2430花更多4倍的成本，顯著地占用更大的機架空間。
 
 
2430脈沖數(shù)字源表特點
 2400系列提供寬動態(tài)范圍：10pA to 10A，1µV to 1100V，20W to 1000W
四象限工作
0.012%的精確度，51/2的分辨率
可程控電流驅(qū)動和電壓測量鉗位的 6位線電阻測量
在4?數(shù)位時通過GPIB達1700讀數(shù)/秒
內(nèi)置快速失敗/通過測試比較器
可選式接觸檢查功能（2430-C型）
數(shù)字I/O提供快速分選與機械手連接 GPIB, RS-232, 和觸發(fā)式連接面板 
 
 
2430脈沖數(shù)字源表主要指標
  型號 2430、2430-C
 描述 脈沖型
 電流source/sink 是
 電壓source/sink 是
 輸出功率 1100W（脈沖式）
 輸出電壓（min./max.） ±1µV/±105V
 輸出電流（min./max.） ±100pA/±10.5A（脈沖式）
 電阻 <0.2Ω至>200MΩ
 基本精度I 0.035%
 基本精度V 0.015%
 基本精度Ω 0.06%
 接觸檢查功能（-C型） 2430-C型帶此功能
 典型應(yīng)用 大功率脈沖測試、變阻器及其它電路保護裝置
 隨機附件 測試線、LabVIEW軟件驅(qū)動（可供下載）、LabTracer軟件（可供下載）

（SourceMeter®） 選型指南